首页> 中国专利> 选择性遮蔽III-N层和制备独立的III-N层或器件的方法

选择性遮蔽III-N层和制备独立的III-N层或器件的方法

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

一种用于在III-N层上形成掩模材料的方法，其中，III表示从Al、Ga和In中选择的元素周期表的III族的至少一种元素，其中，提供具有表面的III-N层，所述III-N层包括多于一个刻面。掩模材料被选择性只沉积在一个或多个但不是所有的刻面上。在生长条件下在III-N层的外延生长期间特别进行掩模材料的沉积，通过外延生长(i)在第一类型或第一组刻面上选择性地生长至少一个进一步的III-N层和(ii)同时在第二类型或第二组刻面上选择性沉积掩模材料。通过根据本发明的方法，可以产生独立的厚的III-N层。此外，可以产生具有特定结构或层的半导体器件或元件。

著录项

公开/公告号CN1988113B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-07-13

原文格式PDF
申请/专利权人弗赖贝格化合物原料有限公司;
展开▼

申请/专利号CN200610168592.3
发明设计人弗兰克·哈贝尔;费迪纳德·斯科尔兹;巴巴拉·纽伯特;彼得·布鲁克纳;托马斯·温德勒;
展开▼

申请日2006-12-21
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人王永刚
地址德国弗赖贝格
入库时间 2022-08-23 09:07:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-07-13

授权

授权
2008-12-03

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-06-27

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 选择性遮蔽III-N层和制备独立的III-N层或器件的方法 [P] . 中国专利： CN1988113B . 2011.07.13
2. 生成III-N层的方法,和III-N层或III-N衬底,以及其上的器件 [P] . 中国专利： CN102268737B . 2014.06.18
3. Process for selective masking of III-N layers and for the preparation of free-standing III-N layers or of devices, and products obtained thereby [P] . 美国专利： US7727332B2 . 2010-06-01

机译：选择性掩蔽III-N层并制备独立的III-N层或器件的方法以及由此获得的产品
4. Processes for selective masking of III-N layers and for the preparation of free-standing III-N layers or of devices [P] . PL1801855T3 . 2009-06-30

机译：选择性掩蔽III-N层以及制备独立的III-N层或器件的方法
5. Processes for selective masking of III-N layers and for the preparation of free-standing III-N layers or of devices [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1801855B1 . 2009-01-14

机译：选择性掩蔽III-N层以及制备独立的III-N层或器件的方法