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基于纳米掩膜制备技术的电化学制备纳米阵列结构材料方法

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摘要

一种基于纳米掩膜技术的电化学纳米阵列结构材料制备方法，用于纳米光电子器件制造领域，尤其是光子晶体材料及器件。本发明包括如下步骤：a)将单分散的有机/无机纳米球均匀分布在基底表面，形成纳米阵列或图形排列；b)以上述纳米阵列或图形作为掩膜，采用电化学刻蚀工艺，进行纳米阵列或图形的刻蚀，在基底表面形成纳米阵列或图形结构；c)去除表面的有机/无机纳米材料，获得纳米阵列或图形结构。本发明适于金属、半导体材料纳米阵列结构的制备，最小尺寸可达到10纳米以下，所采用的电化学刻蚀工艺具有高效、廉价、简便、可在大气环境下进行等优点，便于推广和应用。

著录项

公开/公告号CN101560663B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-07-27

原文格式PDF
申请/专利权人长春理工大学;
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申请/专利号CN200910067044.5
发明设计人翁占坤;邵金山;陈光;赵新乐;宋正勋;王作斌;
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申请日2009-06-03
分类号
代理机构
代理人
地址 130022 吉林省长春市卫星路7089号
入库时间 2022-08-23 09:07:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-07-30

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23F 1/02 授权公告日:20110727 终止日期:20130603 申请日:20090603

专利权的终止
2011-07-27

授权

授权
2009-12-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-10-21

公开

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