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形成包括碲的相变材料层的方法和使用该相变材料层来制造相变存储器的方法

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本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。

著录项

公开/公告号CN101271961B

专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;
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申请/专利号CN200810083078.9
发明设计人金度亨;姜信在;朴仁善;林炫锡;吴圭焕;
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申请日2008-03-21
分类号
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人黄启行
地址韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地
入库时间 2022-08-23 09:07:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-08-31

授权

授权
2010-04-28

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 45/00 申请日:20080321

实质审查的生效
2008-09-24

公开

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