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使用测试特征检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法

摘要

本发明公开了用于检测光刻工艺中的焦点变化的系统和方法,使用具有适于印刷具有临界尺寸的测试特征的光掩膜,可以将其测量和分析来确定光刻工艺期间从曝光工具的最佳焦点位置的离焦的幅度和方向。

著录项

  • 公开/公告号CN1862385B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200610075436.2

  • 发明设计人 金淏哲;

    申请日2006-04-14

  • 分类号G03F7/20(20060101);H01L21/027(20060101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人陶凤波;侯宇

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:07:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-08-24

    授权

    授权

  • 2008-06-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-11-15

    公开

    公开

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