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化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiC

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摘要

本发明公开了一种化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiC

1. 化学气相沉积碳与气相渗硅工艺联合制备SiC [P] . 中国专利： CN101555139B . 2011.09.21
2. 用于制备硅碳负极材料的化学气相沉积系统 [P] . 中国专利： CN203890439U . 2014.10.22
3. SiC METHOD FOR PREPARING HIGH DENSITY SILICON CARBIDE COMPOSITE BY UNIFORM GROWTH OF SIC NANOWIRE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND SILICON CARBIDE COMPOSITE PREPARED BY THE SAME [P] . 韩国专利： KR102153918B1 . 2020-09-09

机译： SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
4. SiC METHOD FOR PREPARING HIGH DENSITY SILICON CARBIDE COMPOSITE BY UNIFORM GROWTH OF SIC NANOWIRE USING CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND SILICON CARBIDE COMPOSITE PREPARED BY THE SAME [P] . 韩国专利： KR20200048314A . 2020-05-08

机译： SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
5. METHOD OF MAKING SUBSTITUTIONALLY CARBON-HIGHLY DOPED CRYSTALLINE SI-LAYERS BY CVD [P] . 韩国专利： KR20080016988A . 2008-02-25

机译：用化学气相沉积法制备可替代碳的高掺杂晶体硅层的方法