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利用光学发射光谱特性对刻蚀过程进行监测的方法

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本发明提供一种利用光学发射光谱(Optical Emission Spectroscopy)特性对刻蚀过程进行监测的方法，其首先由光学发射光谱采集设备实时在线采集光谱信号，然后从中筛选出某些特定元素(例如CF₂)的光谱或某一段光谱，然后再根据筛选出光谱信号的强度与刻蚀腔内壁淀积的聚合物的厚度之间的线性关系确定当前所述刻蚀腔内壁淀积的聚合物的厚度，由此可实现对刻蚀过程的实时有效监控。

著录项

公开/公告号CN101436530B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-01-18

原文格式PDF
申请/专利权人上海宏力半导体制造有限公司;
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申请/专利号CN200810204538.9
发明设计人陈乐乐;许昕睿;林俊毅;
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申请日2008-12-12
分类号H01L21/00(20060101);H01L21/66(20060101);H01L21/311(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑玮
地址 201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
入库时间 2022-08-23 09:08:51

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-06-11

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/00 变更前: 变更后: 登记生效日:20140514 申请日:20081212

专利申请权、专利权的转移
2012-01-18

授权

授权
2011-04-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/00 申请日:20081212

实质审查的生效
2009-05-20

公开

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