公开/公告号CN101689462B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-04-11
原文格式PDF
申请/专利权人 瓦里安半导体设备公司;
申请/专利号CN200880021628.2
申请日2008-06-13
分类号
代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人臧建明
地址 美国麻萨诸塞州
入库时间 2022-08-23 09:09:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-04-11
授权
授权
2010-05-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 23/10 申请日:20080613
实质审查的生效
2010-03-31
公开
公开
机译: 高压绝缘子,可防止因三重结击穿而造成离子注入机中的不稳定
机译: 高压绝缘子,用于防止离子注入机由于三结击穿而导致的不稳定性
机译: 作为防止高压绝缘的装置,无效的三重连接断开可防止离子的不稳定