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铌粉、铌造粒物、铌烧结体和电容器及它们的制造方法

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本发明提供高效率地制造能提供每单位质量的电容大、漏电流小、而且偏差少的电容器的、电容器用铌粉、铌合金粉、氢化铌粉或氢化铌合金粉的方法，还提供使用了该铌粉、铌合金粉、氢化铌粉、或氢化铌合金粉的烧结体和使用该烧结体的电容器的制造方法。根据本发明，通过在分散介质存在下、使用密度为2～3.6g/cm³、断裂韧性值为1.5MPa·m^1/2以上的珠，例如氮化硅或含氮化硅的化合物的介质对氢化铌或氢化铌合金进行粉碎，可以高效率地制得高电容的铌粉。

著录项

公开/公告号CN101035641B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-09

原文格式PDF
申请/专利权人昭和电工株式会社;
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申请/专利号CN200580034208.4
发明设计人网田仁;大森和弘;
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申请日2005-10-05
分类号B22F9/04(20060101);H01G9/052(20060101);B22F1/00(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人段承恩;田欣
地址日本东京都
入库时间 2022-08-23 09:09:30

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-05-09

授权

授权
2007-11-07

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-09-12

公开

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