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具有逆碳分布的低缺陷碳替代单晶硅层

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摘要

形成碳替代单晶硅层易于产生许多缺陷，尤其在高碳浓度时。本发明提供用于提供低缺陷碳替代单晶硅层的结构与方法，甚至对于硅中的碳的高浓度。根据本发明，在碳注入中的主动逆分布减少在固相外延以后所得到的碳替代单晶硅层中的缺陷密度。这致使形成具有压应力与低缺陷密度的半导体结构。当应用在半导体晶体管时，本发明会致使N型场效晶体管经由存在于沟道内的拉应力而具有改善的电子迁移率。

著录项

公开/公告号CN101548384B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-05-30

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN200780044557.3
发明设计人刘孝诚;萨布拉马尼安·伊耶;李金红;
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申请日2007-10-10
分类号H01L29/161(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人张波
地址美国纽约阿芒克
入库时间 2022-08-23 09:09:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-12-15

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/161 登记生效日:20171128 变更前: 变更后: 申请日:20071010

专利申请权、专利权的转移
2017-12-15

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/161 登记生效日:20171128 变更前: 变更后: 申请日:20071010

专利申请权、专利权的转移
2012-05-30

授权

授权
2012-05-30

授权

授权
2009-11-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-11-25

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-09-30

公开

公开
2009-09-30

公开

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