法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C04B 35/532 授权公告日:20120606 终止日期:20160505 申请日:20110505
专利权的终止
2012-06-06
授权
授权
2012-03-21
著录事项变更 IPC(主分类):C04B 35/532 变更前: 变更后: 申请日:20110505
著录事项变更
2011-11-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/532 申请日:20110505
实质审查的生效
2011-10-05
公开
公开
机译: 硅样品预处理的方法,评价硅样品的金属污染的方法,用于评估单晶硅锭生长过程的方法,生产单晶硅锭的方法及制造硅晶片的方法
机译: 单晶硅生长的坩埚,相同晶体的制造方法以及单晶硅的生产方法?
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