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基于c面Al2O3衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法

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摘要

本发明公开了一种基于c面A12O3衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中质量较差，应力大的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的无应力AlInN成核层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的GaN层；(4)在所述GaN层之上生长1-10nm的第一层TiN层；(5)在所述第一层TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的第二层TiN层；(7)在所述第二层TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有低缺陷，应力小的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN101901756B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安电子科技大学;

    申请/专利号CN201010209323.3

  • 发明设计人 郝跃;许晟瑞;张进成;张金风;毛维;史林玉;付小凡;梁晓祯;

    申请日2010-06-24

  • 分类号H01L21/205(20060101);C23C16/44(20060101);C30B29/40(20060101);

  • 代理机构61205 陕西电子工业专利中心;

  • 代理人王品华;朱红星

  • 地址 710071 陕西省西安市太白南路2号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-10-23

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 登记生效日:20180928 变更前: 变更后: 申请日:20100624

    专利申请权、专利权的转移

  • 2018-10-23

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/205 登记生效日:20180928 变更前: 变更后: 申请日:20100624

    专利申请权、专利权的转移

  • 2012-06-27

    授权

    授权

  • 2012-06-27

    授权

    授权

  • 2011-01-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/205 申请日:20100624

    实质审查的生效

  • 2011-01-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20100624

    实质审查的生效

  • 2010-12-01

    公开

    公开

  • 2010-12-01

    公开

    公开

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