法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-08-24
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/60 变更前: 变更后: 申请日:20080606
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-07-11
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/60 变更前: 变更后: 登记生效日:20120625 申请日:20080606
专利申请权、专利权的转移
2012-06-27
授权
授权
2010-08-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20080606
实质审查的生效
2010-06-09
公开
公开
机译: 用于施加到预构造的半导体衬底上的半导体结构部件将掩模施加到具有在确定点处明显减小的宽度的衬底,从而允许通过MBE和MOVPE外延生长。
机译: 用于半导体制造的支撑衬底的补偿框架具有用于支撑衬底的多边形内部轮廓,框架的上主表面的面积在不同点处具有不同的宽度
机译: 用于半导体器件的晶体管,包括:绝缘膜隔离物,其填充栅电极的下表面与衬底的上表面之间的空间;以及源/漏区,其设置在栅电极的两侧上的衬底上。