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铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法

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铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法，采用一维氧化锌纳米线阵列作为n型半导体电子传输层，在其上沉积一层硫化镉量子点作为缓冲层，并将p型铜铟硒纳米晶层沉积到缓冲层上。首先，利用溶胶-凝胶技术在FTO玻璃片上沉积氧化锌薄膜，其次采用水热自组装生长技术在氧化锌薄膜上生长氧化锌纳米线阵列，然后在上面沉积一层由连续吸附和反应法获得的硫化镉量子点，最后采用电泳法在硫化镉上沉积一层由溶剂热法制备的铜铟硒纳米晶，即可得到成本低廉、工艺要求简单、重复性好、可大规模制造且具有较高可见光吸收率的纳米结构异质结。

著录项

公开/公告号CN102208487B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-04

原文格式PDF
申请/专利权人西安交通大学;
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申请/专利号CN201110102711.6
发明设计人阙文修;张进;
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申请日2011-04-22
分类号
代理机构西安通大专利代理有限责任公司;
代理人陆万寿
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2022-08-23 09:10:42

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-06-15

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/18 授权公告日:20120704 终止日期:20150422 申请日:20110422

专利权的终止
2012-07-04

授权

授权
2011-11-23

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20110422

实质审查的生效
2011-10-05

公开

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