首页> 外国专利> STARTING MATERIAL FOR FORMING GALLIUM NITRIDE-CONTAINING THIN FILM FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE-CONTAINING THIN FILM

STARTING MATERIAL FOR FORMING GALLIUM NITRIDE-CONTAINING THIN FILM FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING GALLIUM NITRIDE-CONTAINING THIN FILM

机译：用于形成原子层沉积方法的含氮化镓薄膜的起始材料，以及制备含氮化镓薄膜的方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

A starting material for forming a gallium nitride-containing thin film for an atomic layer deposition method, which contains a gallium compound that is represented by general formula (1). (In the formula, each of R¹-R⁴ independently represents a methyl group or an ethyl group.)

机译：用于形成用于原子层沉积方法的含氮化镓的薄膜的起始材料，其包含由通式（1）表示的镓化合物。（式中，R ^{1 -R ^{4 分别独立地表示甲基或乙基。）}}

著录项

公开/公告号WO2020170853A1

专利类型
公开/公告日2020-08-27

原文格式PDF
申请/专利权人 ADEKA CORPORATION;
展开▼

申请/专利号WO2020JP04786
发明设计人 SAKURAI ATSUSHI;HATASE MASAKO;OKADA NANA;YAMASHITA ATSUSHI;
展开▼

申请日2020-02-07
分类号C23C16/18;C23C16/34;C23C16/455;H01L21/205;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 11:09:44

相似文献

专利
外文文献
中文文献