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IGBT SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING THERMAL MODELLING IN IGBT ELEMENT

机译:IGBT系统和控制IGBT元件中热模型的方法

摘要

According to the present invention, a system for controlling thermal modeling of an IGBT element comprises: a memory in which a program for controlling thermal modeling of an IGBT element is stored; and a processor for executing the program stored in the memory. The processor, as executing the program, converts the thermal modeling of the IGBT element into an integral equation based on Newton′s law of cooling, calculates a temperature rise variable (h) and a cooling constant (k) in serial order so as to calculate a temperature (T) in the thermal modeling.
机译:根据本发明,一种用于控制IGBT元件的热模型的系统包括:存储器,其中存储有用于控制IGBT元件的热模型的程序;以及存储器。处理器用于执行存储在存储器中的程序。处理器在执行程序时,根据牛顿冷却定律将IGBT元件的热模型转换为积分方程,依次计算温度升高变量(h)和冷却常数(k),从而在热模型中计算温度(T)。

著录项

  • 公开/公告号KR20180130184A

    专利类型

  • 公开/公告日2018-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYUNDAI MOBIS CO. LTD.;

    申请/专利号KR1020170065946

  • 发明设计人 LEE BONG GYU;

    申请日2017-05-29

  • 分类号H01L21/67;H01L21/66;H01L23/36;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 11:52:24

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