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FinFETs having strained channels, and methods of fabricating finFETs having strained channels

机译：具有应变沟道的FinFET以及制造具有应变沟道的finFET的方法

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摘要

Techniques and structures for controlling etch-back of a finFET fin are described. One or more layers may be deposited over the fin and etched. Etch-back of a planarization layer may be used to determine a self-limited etch height of one or more layers adjacent the fin and a self-limited etch height of the fin. Strain-inducing material may be formed at regions of the etched fin to induce strain in the channel of a finFET.

机译：描述了用于控制finFET鳍的回蚀的技术和结构。一层或多层可以沉积在鳍上并被蚀刻。可以使用平坦化层的回蚀来确定邻近鳍的一个或多个层的自限蚀刻高度和鳍的自限蚀刻高度。应变诱导材料可以形成在蚀刻的鳍的区域处，以在finFET的沟道中诱导应变。

著录项

公开/公告号US10355020B2

专利类型
公开/公告日2019-07-16

原文格式PDF
申请/专利权人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;GLOBALFOUNDRIES INC.;STMICROELECTRONICS INC.;
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申请/专利号US201615180860
发明设计人 QING LIU;XIUYU CAI;RUILONG XIE;CHUN-CHEN YEH;
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申请日2016-06-13
分类号H01L27/12;H01L29/417;H01L29/66;H01L21/8234;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;G06N3/04;G10L15/16;H01L29/36;
国家 US
入库时间 2022-08-21 12:16:22

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