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Method, apparatus, and system for MOL interconnects without titanium liner

机译：没有钛衬里的MOL互连的方法，装置和系统

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Methods, apparatus, and systems for fabricating a semiconductor device comprising a semiconductor substrate; an oxide layer above the semiconductor substrate; a first metal component comprising tungsten disposed within the oxide layer; an interlayer dielectric (ILD) above the oxide layer, wherein the ILD comprises a trench and a bottom of the trench comprises at least a portion of the top of the first metal component; a barrier material disposed on sidewalls and the bottom of the trench; and a second metal component disposed in the trench.

机译：用于制造包括半导体衬底的半导体器件的方法，装置和系统;半导体衬底上方的氧化物层;第一金属组分，其包括布置在所述氧化物层内的钨;在氧化物层上方的层间电介质（ILD），其中ILD包括沟槽，并且沟槽的底部包括第一金属部件的顶部的至少一部分;阻挡材料设置在沟槽的侧壁和底部上;第二金属部件设置在沟槽中。

著录项

公开/公告号US10026693B2

专利类型
公开/公告日2018-07-17

原文格式PDF
申请/专利权人 GLOBALFOUNDRIES INC.;
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申请/专利号US201715589829
发明设计人 VIMAL KAMINENI;MARK V. RAYMOND;PRANEET ADUSUMILLI;CHENGYU NIU;
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申请日2017-05-08
分类号H01L23/522;H01L23/535;H01L21/768;H01L29/78;H01L21/285;H01L21/311;H01L21/67;H01L23/532;H01L29/45;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:05:44

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