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用于不具有钛衬垫的MOL互连的方法及系统

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本发明涉及用于不具有钛衬垫的MOL互连的方法、设备及系统。揭示了数种方法、设备及系统用于制造半导体装置，其包含半导体基板；在该半导体基板上方的氧化物层；设置于该氧化物层内的含钨的第一金属组件；在该氧化物层上方的层间电介质(ILD)，其中，该层间电介质包含沟槽，以及该沟槽的底部包含该第一金属组件的顶部的至少一部分；设置于该沟槽的侧壁及底部上的阻障材料；以及设置于该沟槽中的第二金属组件。

著录项

公开/公告号CN107046000B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-02-05

原文格式PDF
申请/专利权人格罗方德半导体公司;
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申请/专利号CN201611020045.0
发明设计人 V·卡米内尼;M·V·雷蒙德;P·阿迪休米尔利;牛成玉;
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申请日2016-11-18
分类号H01L21/768(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 11:31:15

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1. 用于不具有钛衬垫的MOL互连的方法及系统 [P] . 中国专利： CN107046000B . 2021.02.05
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3. METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM FOR MOL INTERCONNECTS WITHOUT TITANIUM LINER [P] . 美国专利： US2017243823A1 . 2017-08-24

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4. METHOD, APPARATUS, AND SYSTEM FOR MOL INTERCONNECTS WITHOUT TITANIUM LINER [P] . 美国专利： US2017148669A1 . 2017-05-25

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5. Method, apparatus, and system for MOL interconnects without titanium liner [P] . 美国专利： US10026693B2 . 2018-07-17

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