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PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC THIN FILM DEVICE, TARGET, AND METHODS FOR MANUFACTURING PIEZOELECTRIC THIN FILM AND PIEZOELECTRIC THIN FILM DEVICE

机译：压电薄膜，压电薄膜装置，目标以及制造压电薄膜和压电薄膜装置的方法

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摘要

A piezoelectric thin film does not easily generate a heterogeneous phase and exhibits good piezoelectric characteristics. The piezoelectric thin film contains a composition represented by a general formula: (1-n) (K_1-xNa_x)_mNbO₃-nCaTiO₃, wherein m, n, and x in the general formula are within the ranges of 0.87≦m≦0.97, 0≦n≦0.065, and 0≦x≦1.

机译：压电薄膜不容易产生异相，并且表现出良好的压电特性。压电薄膜包含由以下通式表示的组成：（1-n）（K _{1-x Na _{x ）_{m NbO < Sub> 3 -nCaTiO _{3 ，其中通式中的m，n和x在0.87≤m≤0.97、0≤n≤0.065和0≤x的范围内≤1。}}}}

著录项

公开/公告号US2016365503A1

专利类型
公开/公告日2016-12-15

原文格式PDF
申请/专利权人 MURATA MANUFACTURING CO. LTD.;
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申请/专利号US201615245636
发明设计人 SHINSUKE IKEUCHI;TOSHIMARO YONEDA;YOSHITAKA MATSUKI;NAOYUKI ENDO;
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申请日2016-08-24
分类号H01L41/187;C04B35/622;C23C14/34;H01L41/047;H01J37/34;H01L41/09;H01L41/316;H01L41/332;C04B35/465;C23C14/35;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:49:25

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