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Ideal diode using complex voltage drop type power supply circuit

机译:使用复杂的压降型电源电路的理想二极管

摘要

Task Although an ideal diode can be constructed using a power MOSFET or the like, a simple method of obtaining electric power for control has been demanded.SOLUTION: Since the voltage waveform in the reverse direction applied to the diode is almost superimposed on the voltage waveform of the AC power supply, a complex voltage drop is caused by the condenser, and minute DC power can be obtained without power consumption. An ideal diode which can drive the gate of the power MOSFET by the power of the complex voltage drop type power supply circuit and treat it as two terminals is provided.BACKGROUND OF THE INVENTION
机译:任务尽管可以使用功率MOSFET等来构建理想的二极管,但仍需要一种简单的方法来获得用于控制的电功率。解决方案:由于施加在二极管上的反向电压波形几乎叠加在电压波形上如果使用交流电源,则电容器会引起复杂的压降,并且可以在不消耗功率的情况下获得微小的直流电。提供了一种理想的二极管,该二极管可以通过复数压降型电源电路的功率来驱动功率MOSFET的栅极并将其视为两个端子。

著录项

  • 公开/公告号JP6191040B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-09-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 松本 一穂;

    申请/专利号JP20170109590

  • 发明设计人 松本 一穂;

    申请日2017-06-01

  • 分类号H02M7/06;G05F1/56;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:54:35

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