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A THREE AXIS CAPACITIVE MEMS ACCELEROMETER ON A SINGLE SUBSTRATE

机译:单基板上的三轴电容MEMS加速度计

摘要

The invention relates to a three axis capacitive mems accelerometer on a single substrate. In this invention a varying gap differential capacitive sensing three-axis accelerometer using SOI on glass process is introduced. The out of plane axis accelerometer which is developed in the present invention can be used for fabrication of either a three axis accelerometer with a single proof mass or an individual single axis accelerometers on the same substrate. Additionally the out of plane axis accelerometer which is developed in the present invention, the handle layer of the SOI wafer is used as packaging layer.
机译:本发明涉及在单个基板上的三轴电容式mems加速度计。在本发明中,介绍了一种在玻璃工艺上使用SOI的可变间隙差分电容感测三轴加速度计。在本发明中开发的平面外轴加速度计可用于在同一基板上制造具有单个检测质量的三轴加速度计或单个单轴加速度计。另外,在本发明中开发的平面外轴加速度计中,SOI晶片的操作层被用作封装层。

著录项

  • 公开/公告号EP3241027A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-11-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 AYDEMIR AKIN;AKIN TAYFUN;

    申请/专利号EP20140837012

  • 发明设计人 AYDEMIR AKIN;AKIN TAYFUN;

    申请日2014-12-31

  • 分类号G01P15/08;B81B5;B81B7;B81C1;G01P15/125;G01P15/18;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 14:03:18

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