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USE OF AN ETCH STOP IN THE MIM CAPACITOR DIELECTRIC OF A MMIC

机译:在MMIC的MIM电容器电介质中使用止动块

摘要

A structure having: a body; a pair of capacitors disposed over different portions of a surface of the body; a first one of the capacitors having an upper conductor and a lower conductor separated a dielectric layer; and a second one of the pair of capacitors having an upper conductor and a lower conductor separated a dielectric structure, the dielectric structure having a lower dielectric layer, and an upper dielectric layer, wherein the material of the lower dielectric layer is different from the material of the upper dielectric layer.
机译:一种结构,具有:主体;设置在主体表面的不同部分上的一对电容器;电容器中的第一个具有上导体和下导体,它们隔开介电层;所述一对电容器中的具有上导体和下导体的第二电容器隔开电介质结构,所述电介质结构具有下电介质层和上电介质层,其中所述下电介质层的材料不同于所述材料上介电层。

著录项

  • 公开/公告号WO2015187301A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 RAYTHEON COMPANY;

    申请/专利号WO2015US29623

  • 发明设计人 MCCLYMONDS JAMES W.;

    申请日2015-05-07

  • 分类号H01L27/08;H01L27/06;H01L49/02;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-21 14:20:12

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