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METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF OXIDE DIELECTRICS ON N-POLAR III-NITRIDE SEMICONDUCTORS WITH HIGH INTERFACE QUALITY AND TUNABLE FIXED INTERFACE CHARGE

机译：具有高界面质量和可调节固定界面电荷的N-极性III-氮化物半导体上氧化物介电材料的金属有机化学气相沉积

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摘要

A method of fabricating a Ill-nitride semiconductor device, including growing an Ill-nitride semiconductor and an oxide sequentially to form an oxide/III-nitride interface, without exposure to air in between growth of the oxide and growth of the Ill-nitride semiconductor.

机译：一种制造III族氮化物半导体器件的方法，包括依次生长III族氮化物半导体和氧化物以形成氧化物/ III族氮化物界面，而在所述氧化物的生长与所述III族氮化物半导体的生长之间不暴露于空气。。

著录项

公开/公告号WO2015156875A3

专利类型
公开/公告日2015-12-17

原文格式PDF
申请/专利权人 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA;
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申请/专利号WO2015US11619
发明设计人 LIU XIANG;MISHRA UMESH K.;KELLER STACIA;KIM JEONGHEE;LAURENT MATTHEW;LU JING;YELURI RAMYA;CHAN SILVIA H.;
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申请日2015-01-15
分类号H01L21/205;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 14:20:49

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