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Bigfet ESD protection that is robust against the first peak of a system-level pulse

机译:Bigfet ESD保护可抵抗系统级脉冲的第一个峰值

摘要

Embodiments of an electrostatic discharge (ESD) protection device and a method of operating an ESD protection device are described. In one embodiment, an ESD protection device includes a bigFET configured to conduct an ESD pulse during an ESD event. The bigFET includes a backgate terminal, a source terminal, and a current distributor connected to the backgate terminal and the source terminal and configured to homogeneously activate a parasitic bipolar junction transistor of the bigFET in response to a current that is generated in the bigFET during the ESD pulse. Other embodiments are also described.
机译:描述了静电放电(ESD)保护装置的实施方式和操作ESD保护装置的方法。在一个实施例中,一种ESD保护装置包括bigFET,其被配置为在ESD事件期间传导ESD脉冲。 bigFET包括背栅端子,源极端子和电流分配器,该电流分配器连接到背栅端子和源极端子,并被配置为响应bigFET期间产生的电流均匀激活bigFET的寄生双极结型晶体管。 ESD脉冲。还描述了其他实施例。

著录项

  • 公开/公告号EP2849228A3

    专利类型

  • 公开/公告日2015-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 NXP B.V.;

    申请/专利号EP20140180740

  • 发明设计人 DE RAAD GIJS;

    申请日2014-08-13

  • 分类号H01L27/02;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 15:03:13

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