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Ge-Sb-Te film deposition methods, Ge-Te film deposition methods, of Sb-Te film film forming method and program

机译:Ge-Sb-Te成膜方法,Ge-Te成膜方法,Sb-Te成膜方法及程序

摘要

And Sb raw material introduction step, a first purge step, and Te raw material introduction step a second purge step, and a Ge raw material introduction step, wherein a third purge step, at least one step of the raw material introduction step, or purge step, ammonia, methylamine, dimethylamine, hydrazine, monomethyl hydrazine introduces additional gas containing one or more dimethylhydrazine and pyridine, method of forming the Ge-Sb-Te film is provided.
机译:并且,Sb原料导入步骤,第一净化步骤,Te原料导入步骤,第二净化步骤以及Ge原料导入步骤,其中第三净化步骤,原料导入步骤中的至少一个步骤或净化步骤步骤,将氨,甲胺,二甲胺,肼,一甲基肼引入另外的包含一种或多种二甲基肼和吡啶的气体,提供了形成Ge-Sb-Te膜的方法。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2013027682A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-03-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 東京エレクトロン株式会社;

    申请/专利号JP20130530006

  • 发明设计人 有馬 進;河野 有美子;

    申请日2012-08-17

  • 分类号C23C16/18;H01L27/105;H01L45/00;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 15:28:26

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