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COMPOSITION FOR LANTHANUM NICKEL OXIDE THIN FILM FORMATION, AND METHOD FOR FORMING LANTHANUM NICKEL OXIDE THIN FILM BY USE THEREOF

机译：镧氧化镍薄膜形成的组合物，以及使用该薄膜形成镧氧化镍薄膜的方法

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for LaNiO₃ thin film formation which enables the uniform film growth because of being extremely small in the quantity of creation of pin holes, enables the suppression of occurrence of LaNiO₃ precursor deposition (precipitation), and enables the suppression of occurrence of a crack in a post-baking LaNiO₃ thin film.;SOLUTION: A composition for LaNiO₃ thin film formation comprises: a LaNiO₃ precursor; an organic solvent; and a stabilizer. The percentage of the LaNiO₃ precursor blended therein is 1-20 mass% to total of 100 mass% of the LaNiO₃ precursor, the organic solvent and the stabilizer in terms of oxides. As to HSP value of the organic solvent, a dispersion component dD, a polarization component dP, and a hydrogen-coupling component dH satisfy the following relational expressions respectively: 14dD20; 3dP26; and 3dH30.;COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT

机译：解决的问题：提供一种用于LaNiO _{3 薄膜形成的组合物，该组合物由于极小的针孔产生量而使得能够均匀地生长膜，从而能够抑制LaNiO < Sub> 3 前体沉积（沉淀），并能抑制后烘烤LaNiO _{3 薄膜中裂纹的发生。;解决方案：LaNiO _{3的组成薄膜形成包括：LaNiO _{3 前体;有机溶剂;和稳定剂。在其中混合的LaNiO _{3 前体的百分比相对于LaNiO _{3 前体，有机溶剂和稳定剂的总计100质量％为1-20质量％。氧化物。关于有机溶剂的HSP值，分散成分dD，极化成分dP和氢偶合成分dH分别满足以下关系式：14 ＜dD ＜20;和3
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著录项

公开/公告号JP2015099914A

专利类型
公开/公告日2015-05-28

原文格式PDF
申请/专利权人 MITSUBISHI MATERIALS CORP;
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申请/专利号JP20140202797
发明设计人 FUJII JUN;SAKURAI HIDEAKI;SOYAMA NOBUYUKI;
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申请日2014-10-01
分类号H01L21/316;C01G53/00;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 15:33:57

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