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NITRIDE CRYSTAL OF GROUP XIII ELEMENT, NITRIDE CRYSTAL SUBSTRATE OF GROUP XIII ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTAL OF GROUP XIII ELEMENT

机译：第XIII族元素的氮化物，第XIII族元素的氮化物，以及制备第XIII族元素的氮化物的方法

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride crystal of a group XIII element suitable for manufacturing a semiconductor device, a nitride crystal substrate of a group XIII element, and a production method of a nitride crystal of a group XIII element.;SOLUTION: A nitride crystal 19 of a group XIII element has a hexagonal crystal structure and includes at least a nitrogen atom and at least one kind of metal atom selected from the group consisting of B, Al, Ga, In, and Tl. The nitride crystal 19 of a group XIII element has a dislocation density of 10⁴ cm^-2 or higher of base surface dislocation in a cross section parallel to the c axis.;COPYRIGHT: (C)2014,JPO&INPIT

机译：解决的问题：提供适合于制造半导体器件的XIII族元素的氮化物晶体，XIII族元素的氮化物晶体基板以及XIII族元素的氮化物晶体的制造方法。 XIII族元素的氮化物晶体19具有六方晶体结构，并包括至少一个氮原子和选自B，Al，Ga，In和Tl的至少一种金属原子。 XIII族元素的氮化物晶体19在平行于c轴的截面中具有基本表面位错的10 ^{4 cm ^{-2 或更高的位错密度。版权：（C）2014，日本特许厅和INPIT}}

著录项

公开/公告号JP2014058420A

专利类型
公开/公告日2014-04-03

原文格式PDF
申请/专利权人 RICOH CO LTD;
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申请/专利号JP20120203754
发明设计人 HAYASHI MASAHIRO;SATO TAKASHI;KIMURA CHIHARU;MIYOSHI NAOYA;MURAKAMI AKISHIGE;MIYAKE SHINSUKE;WADA JUNICHI;SARAYAMA SHOJI;
展开▼

申请日2012-09-17
分类号C30B29/38;C30B19/12;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:18:09

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