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SECONDARY ION MASS ANALYSIS METHOD AND SECONDARY ION MASS ANALYSIS APPARATUS

机译:二次离子质量分析方法和二次离子质量分析装置

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology for secondary ion mass analysis that is capable of accurately performing element distribution measurement in a depth direction, in a sample having an outermost surface easily affected by oxidation or the like.;SOLUTION: A secondary ion mass analysis method includes the steps of: comparing first spectra that indicate sample voltage dependency of the count number of secondary ions generated from the outermost surface of a sample at primary ion irradiation, with second spectra generated from the place where the sample is not oxidized; acquiring a sample voltage corresponding to a spectral range with no enhancement effect due to oxygen from the first and second spectra; and measuring element distribution in the depth direction of the sample in the sample voltage.;COPYRIGHT: (C)2013,JPO&INPIT
机译:要解决的问题:提供一种二次离子质量分析的技术,该技术能够在具有最易受氧化等影响的最外表面的样品中,在深度方向上准确地执行元素分布测量;解决方案:二次离子质量分析方法包括以下步骤:将表示在一次离子辐照下从样品的最外表面产生的二次离子计数数量的样品电压依赖性的第一光谱与从样品未被氧化的地方产生的第二光谱进行比较;从第一光谱和第二光谱中获取与没有因氧引起的增强作用的光谱范围相对应的采样电压;样品电压中样品深度方向上的测量元件分布。;版权所有:(C)2013,日本特许厅&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2013152169A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-08-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FUJITSU LTD;

    申请/专利号JP20120013528

  • 发明设计人 YAMAZAKI KAZUHISA;

    申请日2012-01-25

  • 分类号G01N27/62;G01N27/64;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:00:23

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