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Semiconductor structure fabrication comprises forming metal material over III-V type semiconductor material, and deforming metal material to relax the III-V type semiconductor material

机译：半导体结构的制造包括在III-V型半导体材料上形成金属材料，以及使金属材料变形以使III-V型半导体材料松弛。

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摘要

A semiconductor structure (400) is fabricated by forming metal material (118') over III-V type semiconductor material; and deforming the metal material to relax the III-V type semiconductor material.

机译：通过在III-V型半导体材料上形成金属材料（118'）来制造半导体结构（400）;使金属材料变形以使III-V型半导体材料松弛。

著录项

公开/公告号FR2970374A1

专利类型
公开/公告日2012-07-13

原文格式PDF
申请/专利权人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES;
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申请/专利号FR20110050228
发明设计人 WERKHOVEN CHRISTIAAN J.;
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申请日2011-01-11
分类号H01L21/30;
国家 FR
入库时间 2022-08-21 17:04:04

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