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ZINC-OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVITY MANUFACTURING METHOD AND A ZINC-OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVITY OXIDE FILM FOR REDUCING RESISTANCE OF THE MANUFACTURED ZINC OXIDE TRANSPARENT CONDUCTIVITY FILM

机译：用于降低制造的氧化锌透明导电膜的电阻的氧化锌透明导电性制造方法和氧化锌透明导电性膜

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PURPOSE: A zinc-oxide transparent conductivity manufacturing method and a zinc-oxide transparency conductivity oxide film are provided to evaporate metal nano particle on a zinc oxide thin film through a thermal or electrochemical evaporate method.;CONSTITUTION: A Ga dopant is doped on a zinc oxide film(120). A produced zinc-oxide transparent conductive oxide film(100) is formed on a substrate(110). A metal nano particle(130) is formed in a nano point shape on the zinc-oxide transparent conductive oxide film. The metal nano particle is formed in a metal nano particle layer(130a). The dopant is Ga. The metal nano particle is Ag.;COPYRIGHT KIPO 2013

机译：目的：提供一种氧化锌透明导电性的制造方法和一种氧化锌透明导电性的氧化膜，以通过热蒸发或电化学蒸发的方法使氧化锌薄膜上的金属纳米颗粒蒸发。氧化锌膜（120）。在基板（110）上形成生产的氧化锌透明导电氧化物膜（100）。在氧化锌透明导电氧化物膜上以纳米点形状形成金属纳米粒子（130）。金属纳米粒子形成在金属纳米粒子层（130a）中。掺杂剂是Ga，金属纳米颗粒是Ag。; COPYRIGHT KIPO 2013

著录项

公开/公告号KR20120119342A

专利类型
公开/公告日2012-10-31

原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO. LTD.;
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申请/专利号KR20110037202
发明设计人 KIM SEO HYUN;CHOI EUN HO;YOO YOUNG ZO;PARK JUNE HYONG;PARK JEONG WOO;
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申请日2011-04-21
分类号H01B13/00;H01B5/14;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 17:08:53

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