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Embedded photodetector apparatus in a 3D CMOS chip stack

机译:3D CMOS芯片堆栈中的嵌入式光电探测器设备

摘要

An embedded photodetector apparatus for a three-dimensional complementary metal oxide semiconductor (CMOS) stacked chip assembly having a CMOS chip and one or more thinned CMOS layers is provided. At least one of the one or more thinned CMOS layers includes an active photodiode area defined within the one or more thinned CMOS layers, the active photodiode area being receptive of an optical signal incident thereon, and the active photodiode area comprising a bulk substrate portion of the thinned CMOS layer. The bulk substrate portion has a diode photodetector formed therein.
机译:提供了一种用于具有CMOS芯片和一个或多个减薄的CMOS层的三维互补金属氧化物半导体(CMOS)堆叠芯片组件的嵌入式光电探测器设备。一个或多个减薄的CMOS层中的至少一个包括限定在一个或多个减薄的CMOS层内的有源光电二极管区域,该有源光电二极管区域接收入射在其上的光信号,并且该有源光电二极管区域包括衬底的体衬底部分。减薄的CMOS层。大块基板部分具有形成在其中的二极管光电检测器。

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