首页> 外国专利> The process which in production manner of the ferroelectric thin film for data retention and the production mannered null 10 of the ferroelectric record media which

The process which in production manner of the ferroelectric thin film for data retention and the production mannered null 10 of the ferroelectric record media which

机译：以用于保持数据的铁电薄膜的生产方式和生产方式将铁电记录介质归零的过程如下：

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PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a ferroelectric substance thin film for data saving and a method for manufacturing a ferroelectric substance recording medium using the same.;SOLUTION: The method for manufacturing the ferroelectric substance thin film includes a step of forming an amorphous TiO₂ layer on a substrate, a step of forming a PbO gas atmosphere on the TiO₂ layer, and a step of forming the PbTiO₃ ferroelectric substance thin film having a fine crystalline granular structure of a 1 to 20 nm size on the substrate by causing reaction of the TiO₂ layer and gaseous PbO at 400 to 650°C.;COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

机译：解决的问题：提供一种用于节省数据的铁电物质薄膜的制造方法以及使用该方法制造铁电物质记录介质的方法。解决方案：该铁电物质薄膜的制造方法包括形成步骤基板上的非晶TiO _{2 层，在TiO _{2 层上形成PbO气体气氛的步骤以及形成PbTiO _{3的步骤通过在400至650℃下引起TiO _{2 层与气态PbO的反应，在基板上具有1至20 nm尺寸的微细晶粒结构的Sub>铁电物质薄膜; COPYRIGHT：（C）2008，日本特许厅＆INPIT}}}}

著录项

公开/公告号JP4897605B2

专利类型
公开/公告日2012-03-14

原文格式PDF
申请/专利权人三星電子株式会社;
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申请/专利号JP20070198044
发明设计人洪承範;シモン・ビュールマン;
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申请日2007-07-30
分类号G11B9/02;C23C14/08;C23C16/40;C23C16/56;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 17:37:22

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