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Method of forming a metal oxide film, film-forming apparatus of the metal oxide film and metal oxide film

机译：金属氧化物膜的形成方法，金属氧化物膜的成膜装置及金属氧化物膜

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摘要

The present invention aims to provide a method of forming a metal oxide film can be used while maintaining the low resistance of the metal oxide film to be formed, to improve the production efficiency. Then, the method of forming a metal oxide film according to the present invention, I mist (4) containing a (4a) of ammonia and the metal element. On the other hand, I heated substrate (2). Then, the main surface of the first (2) of the substrate during heating supplies (4) solution is atomized.

机译：本发明的目的是提供一种在保持要形成的金属氧化物膜的低电阻的同时可以使用的金属氧化物膜的形成方法，以提高生产效率。然后，在根据本发明的形成金属氧化物膜的方法中，雾化包含氨（4a）和金属元素的（4）。另一方面，我加热了基板（2）。然后，在加热供应（4）溶液期间使基板的第一（2）的主表面雾化。

著录项

公开/公告号JPWO2010122629A1

专利类型
公开/公告日2012-10-22

原文格式PDF
申请/专利权人東芝三菱電機産業システム株式会社;国立大学法人京都大学;
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申请/专利号JP20110510106
发明设计人織田容征;白幡孝洋;吉田章男;藤田静雄;亀山直季;
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申请日2009-04-20
分类号C01B13/18;C01G9/02;H01L21/368;H01L21/205;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 17:37:57

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