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FABRICATION METHOD OF NANO-SCALE STRUCTURES ON SiC USING AFM LOCAL OXIDATION

机译:AFM局部氧化法制备SiC纳米尺度结构

摘要

PURPOSE: A fabrication method of nano-scale structures on SiC using AFM local oxidation is provided to manufacture the fine structure using the atomic microscope local oxidation of silicon method using the sample of proper threshold value and high doping concentration.;CONSTITUTION: The surface of specimen is cleaned before implementing the atomic microscope local oxidation of silicon. The local oxidation of silicon is implemented by using the contact mode of the atomic microscope in the room temperature with the humidity of 40~50%. The surface analysis is implemented by using the non contacting mode.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种使用原子力显微镜局部氧化法在SiC上制备纳米级结构的方法,该方法采用适当的阈值和高掺杂浓度的样品,采用原子显微镜对硅进行局部氧化法来制备精细结构。在实施原子显微镜对硅进行局部氧化之前,应清洁试样。硅的局部氧化是通过在室温,湿度为40%至50%的室温下使用原子显微镜的接触模式实现的。使用非接触模式进行表面分析。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20100138498A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 KOO SANG MO;

    申请/专利号KR20090057060

  • 发明设计人 KOO SANG MO;JO YEONG DEUK;

    申请日2009-06-25

  • 分类号H01L21/31;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:53:03

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