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METHOD OF FORMING PECVD SILICON-RICH OXIDE LAYER FOR REDUCED UV CHARGING IN AN EEPROM

机译:在EEPROM中形成PECVD富硅氧化物层以减少UV电荷的方法

摘要

A Si-rich silicon oxide layer having reduced UV transmission is deposited by PECVD, on an interlayer dielectric, prior to metallization, thereby reducing Vt. Embodiments include depositing a UV opaque Si-rich silicon oxide layer having an R.I. of 1.7 to 2.0.
机译:在金属化之前,通过PECVD在层间电介质上沉积具有降低的紫外线透射率的富硅氧化硅层,从而降低V t 。实施例包括沉积具有1.7至2.0的R.I.的UV不透明的富含Si的氧化硅层。

著录项

  • 公开/公告号EP1644974B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SPANSION LLC;

    申请/专利号EP20040776807

  • 申请日2004-06-18

  • 分类号H01L21/8247;H01L23/552;H01L21/336;H01L21/316;H01L21/768;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 17:59:17

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