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SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURE NANOWIRE DEVICES

机译:半导体异质结构纳米器件

摘要

Nanowire devices comprising core-shell or segmented nanowires are provided. In these nanowire devices, strain can be used as a tool to form metallic portions in nanowires made from compound semiconductor materials, and/or to create nanowires in which embedded quantum dots experience negative hydrostatic pressure or high positive hydrostatic pressure, whereby a phase transitions may occur, and/or to create exciton crystals.
机译:提供了包括核-壳或分段的纳米线的纳米线装置。在这些纳米线装置中,应变可以用作工具,以在由化合物半导体材料制成的纳米线中形成金属部分,和/或创建其中嵌入的量子点承受负静水压或高正静水压的纳米线,从而可能发生相变发生和/或产生激子晶体。

著录项

  • 公开/公告号US2011212576A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 CRAIG PRYOR;MATS-ERIK PISTOL;

    申请/专利号US201113103914

  • 发明设计人 CRAIG PRYOR;MATS-ERIK PISTOL;

    申请日2011-05-09

  • 分类号H01L21/58;B82Y99;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:13:39

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