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N2 BASED PLASMA TREATMENT AND ASH FOR HK METAL GATE PROTECTION

机译:基于N2的等离子体处理和灰分用于香港金属门的保护

摘要

The present disclosure provides a method for making a semiconductor device. The method includes forming a first material layer on substrate; forming a patterned photoresist layer on the first material layer; applying an etching process to the first material layer using the patterned photoresist layer as a mask; and applying a nitrogen-containing plasma to the substrate to remove the patterned photoresist layer.
机译:本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括在衬底上形成第一材料层;以及在第一材料层上形成图案化的光刻胶层;使用图案化的光致抗蚀剂层作为掩模对第一材料层进行蚀刻工艺;将含氮等离子体施加至基板以去除图案化的光致抗蚀剂层。

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