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METHOD OF ENHANCING CLEAR FIELD PHASE SHIFT MASKS WITH BORDER REGIONS AROUND PHASE 0 AND PHASE 180 REGIONS

机译:增强0相和180相周围边界区域的清晰磁场相移掩模的方法

摘要

The present invention relates to a technique for adding a first border region on the end of the phase 0 region, which defines the polygon is added to the second border regions at the ends of the phase 180 region. The invention improves the line end pattern definition may improve the manufacturability and the patterning process window. The added boundary region to blend the light from both line ends, and the final resist pattern to be more predictable.
机译:本发明涉及一种在相位0区域的末端添加第一边界区域的技术,该第一边界区域定义将多边形添加到在相位180区域的末端的第二边界区域。本发明改善了线端图案的清晰度,可以改善可制造性和图案化工艺窗口。增加的边界区域可以混合来自线两端的光线,并且最终的抗蚀剂图案更容易预测。

著录项

  • 公开/公告号KR100915673B1

    专利类型

  • 公开/公告日2009-09-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20047009145

  • 申请日2002-12-09

  • 分类号H01L21/027;G03F1/00;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 19:11:38

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