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Computer aided modeling, reliability checking and verification of a lithography process using a calibrated eigen decomposition model

机译:使用校准的特征分解模型对光刻工艺进行计算机辅助建模,可靠性检查和验证

摘要

A method for modeling a photolithography process which includes the steps of generating a calibrated model of the photolithography process capable of estimating an image to be produced by the photolithography process when utilized to image a mask pattern containing a plurality features; and determining an operational window of the calibrated model, which defines whether or not the calibrated model can accurately estimate the image to be produced by a given feature in the mask pattern.
机译:一种用于对光刻工艺进行建模的方法,该方法包括以下步骤:生成光刻工艺的校准模型,该校准模型能够在用于对包含多个特征的掩模图案成像时估计由光刻工艺产生的图像;以及确定校准后的模型的操作窗口,该操作窗口定义校准后的模型是否可以准确地估计要通过掩模图案中的给定特征产生的图像。

著录项

  • 公开/公告号EP1560072A3

    专利类型

  • 公开/公告日2008-05-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML MASKTOOLS B.V.;

    申请/专利号EP20050250491

  • 发明设计人 SHI XUELONG;CHEN JANG FUNG;

    申请日2005-01-31

  • 分类号G03F7/20;G03F1/14;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 19:58:46

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