首页> 中国专利> 使用已校准的本征分解模型的光刻过程的制造可靠性检查与验证的方法

使用已校准的本征分解模型的光刻过程的制造可靠性检查与验证的方法

摘要

一种模拟光刻过程的方法,包括这些步骤:产生光刻过程的已校准模型,该模型能推断将由该光刻过程在用于含有多个特征的掩模图案成像时产生的像;并确定已校准模型的操作窗口,该操作窗口确定所述已校准模型是否能精确地推断由所述掩模图案中的特定特征产生的像。

著录项

  • 公开/公告号CN1658076A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2005-08-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ASML蒙片工具有限公司;

    申请/专利号CN200510060091.9

  • 发明设计人 X·施;J·F·陈;

    申请日2005-01-29

  • 分类号G03F7/20;H01L21/027;G06F17/00;

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张志醒

  • 地址 荷兰维尔德霍芬

  • 入库时间 2023-12-17 16:25:17

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-04-20

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F7/20 授权公告日:20090311 终止日期:20100129 申请日:20050129

    专利权的终止

  • 2009-03-11

    授权

    授权

  • 2006-05-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-08-24

    公开

    公开

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