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Quantum dot intermediate band infrared photodetector

机译：量子点中频带红外光电探测器

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The invention relates to an infrared photodetector containing a region of semiconductor quantum dots (1), n type doped in the barrier region (2), and sandwiched between two layers of semiconductors of n type (3) and p type (4). When infrared photons (5) are absorbed, they create electronic transitions (6) from the confined states in the dots (7) to the conduction band (8). This causes the appearance of a voltage between device p (9) and n (10) contacts or the production of an electrical current. In either way, the detection of the infrared light is possible. A low band-pass filter (12) prevents high energy photons (13) from entering the device and cause electronic transitions (14) from the valence (15) band to the conduction band (8).
机译：本发明涉及一种红外光电探测器，其包含半导体量子点（1）的区域，n型掺杂在势垒区域（2）中，并且夹在n型（3）和p型（4）的两层半导体之间。当红外光子（5）被吸收时，它们会形成从点（7）中的受限状态到导带（8）的电子跃迁（6）。这会导致在设备p（9）和n（10）触点之间出现电压或产生电流。无论哪种方式，都可以检测红外光。低带通滤波器（12）防止高能光子（13）进入设备并引起从价带（15）到导带（8）的电子跃迁（14）。

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