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Negatively biasing deselected memory cells

机译:负偏置取消选择的存储单元

摘要

In one embodiment, the present invention includes a method to supply a negative voltage to at least one deselected wordline of a memory array. Further, while the negative voltage is supplied to deselected wordlines, a positive voltage may be supplied to a selected wordline. The memory array may be a flash memory incorporating multi-level cell architecture, in one embodiment.
机译:在一个实施例中,本发明包括一种向存储阵列的至少一个未选择的字线提供负电压的方法。此外,在将负电压提供给取消选择的字线的同时,可以将正电压提供给选择的字线。在一个实施例中,存储器阵列可以是结合了多级单元架构的闪存。

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