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Structural parameter e.g. line width, determining method for use in semiconductor manufacturing, involves analyzing formula for spectrum in partial formula so that partial formulas are newly computed during computation of spectrum

机译:结构参数例如线宽,用于半导体制造的确定方法,涉及分析部分公式中的光谱公式,以便在计算光谱时重新计算部分公式

摘要

The method involves measuring the spectrum of an object and comparing the measured spectrum with a computed model spectrum. The formula for computing the model spectrum is analyzed in the partial formula such that only partial formulas are newly computed during the computation of further spectrum with the changed model structural parameters. The partial formula has changed model structural parameters.
机译:该方法包括测量物体的光谱并将所测量的光谱与计算出的模型光谱进行比较。在部分公式中分析了用于计算模型光谱的公式,以便在使用已更改的模型结构参数计算其他光谱时,仅重新计算部分公式。偏公式改变了模型的结构参数。

著录项

  • 公开/公告号DE102005023736A1

    专利类型

  • 公开/公告日2006-11-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LEICA MICROSYSTEMS JENA GMBH;

    申请/专利号DE20051023736

  • 发明设计人 HALM CHRISTIAN;

    申请日2005-05-23

  • 分类号G01B11/02;H01L21/66;G01N21/41;

  • 国家 DE

  • 入库时间 2022-08-21 20:30:01

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