解决方案:成像设备70通过接收被物体反射的近红外区域光来对物体成像,并且包括半导体光接收元件10,该半导体光接收元件10的光接收层3的带隙波长为1.65 m以上。 3.0 m以下。
版权:(C)2007,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2007201432A
专利类型
公开/公告日2007-08-09
原文格式PDF
申请/专利权人 SUMITOMO ELECTRIC IND LTD;
申请/专利号JP20060337668
申请日2006-12-14
分类号H01L27/14;H01L31/10;B60R1/00;B63B49/00;H04N5/33;H04N5/225;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:12:41