要解决的问题:为了解决以下问题:对于常规的针状样品的电离,将脉冲高压施加到其针尖或用纳秒激光照射,但是,针状由于在三维原子探针电场显微镜中加热引起的温度升高,样品破裂或分辨率降低,并且当使用这种电离方法时,半导体或绝缘材料的分析非常困难。
解决方案:这种电离方法可以分析元素的三维分布,而不会破坏内部残留应力的针状样品,不仅可以提高分离度,而且可以通过顺序分析半导体或绝缘材料通过将超短脉冲激光束会聚在曲率半径大大小于施加高电压的波长(低于电场产生的阈值)的针状样品的针尖上,将针状样品表面层上的原子电离并除去蒸发。
版权:(C)2006,JPO&NCIPI
公开/公告号JP2006260780A
专利类型
公开/公告日2006-09-28
原文格式PDF
申请/专利权人 JAPAN ATOMIC ENERGY AGENCY;
申请/专利号JP20050072440
申请日2005-03-15
分类号H01J49/16;G01N27/62;G01N27/64;G01N33/20;H01J37/285;H01J49/42;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 21:54:50