首页> 外国专利> Method of producing inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle and inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle

Method of producing inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle and inorganic semiconductor-or phosphor-primary particle

机译:无机半导体或荧光体一次粒子的制造方法以及无机半导体或荧光体一次粒子的制造方法

摘要

A method of producing inorganic semiconductor- and phosphor-primary particles, which each comprises forming the particles by reacting at least one kind of precursor solution of the inorganic primary particle in a solvent, of which major component is water of a reacting vessel, under the conditions that the pressure is 0.2 to 20 MPa and the temperature is 120° C. to 370° C.; and inorganic semiconductor- and phosphor-primary particles produced by the method.
机译:一种生产无机半导体和磷光体一次粒子的方法,其每一个包括通过使至少一种无机一次粒子的前体溶液在溶剂中反应而形成粒子,该溶剂的主要成分是反应容器中的水。压力为0.2至20MPa,温度为120℃至370℃的条件;以及通过该方法生产的无机半导体和荧光粉一次颗粒。

著录项

  • 公开/公告号US2005122027A1

    专利类型

  • 公开/公告日2005-06-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SATOSHI AIBA;SHIGEHARU URABE;

    申请/专利号US20040968332

  • 发明设计人 SHIGEHARU URABE;SATOSHI AIBA;

    申请日2004-10-20

  • 分类号H01J1/62;C01G13/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 22:22:57

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号