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METHOD OF DEPOSITING STACK-TYPE HIGH-DIELECTRIC CONSTANT GATE DIELECTRIC WITHOUT LOW-DIELECTRIC CONSTANT LAYER FOR CMOS APPLICATION

机译：用于CMOS应用的无低介电常数层的层叠型高介电常数栅介电沉积方法

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摘要

A method of forming a layer of high-&kgr; dielectric material in an integrated circuit includes preparing a silicon substrate; depositing a first layer of metal oxide using ALD with a metal nitrate precursor; depositing another layer of metal oxide using ALD with a metal chloride precursor; and completing the integrated circuit.

机译：形成高-kgr层的方法;集成电路中的介电材料包括制备硅衬底;使用ALD与金属硝酸盐前体一起沉积第一金属氧化物层;使用ALD与金属氯化物前体一起沉积另一层金属氧化物;并完成集成电路。

著录项

公开/公告号KR20040038608A

专利类型
公开/公告日2004-05-08

原文格式PDF
申请/专利权人 SHARP CORPORATION;
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申请/专利号KR20030055079
发明设计人 ONO YOSHI;CONLEY JOHN F. JR.;SOLANKI RAJENDRA;
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申请日2003-08-08
分类号H01L21/31;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 22:49:08

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