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WIDEBAND LINEAR GAASFET TERNATE CASCODE AMPLIFIER

机译:宽带线性GAASFET TERNATE CASCODE放大器

摘要

The present invention incorporates GaAs field effecttransistors (GaAsFETs) in a radio frequency (RF) ultra-linearamplifier. The described amplifier circuit is a transformer-coupledsingle input, signal processing unit incorporatingultra-fast, GaAsFETs in a three active device cascode. Thisarrangement allows for a higher working voltage to be appliedacross the three semiconductors rather than a traditional twotransistor cascode. The operational bandwidth can process amixed modulation signal comprised of analog and digitalchannels.
机译:本发明结合了GaAs场效应射频(RF)超线性晶体管(GaAsFET)放大器。所述放大器电路是变压器耦合的单输入,包含信号处理单元三个有源器件共源共栅中的超快GaAsFET。这个布置允许施加更高的工作电压跨越三种半导体,而不是传统的两种晶体管共源共栅。操作带宽可以处理由模拟和数字组成的混合调制信号渠道。

著录项

  • 公开/公告号CA2295341C

    专利类型

  • 公开/公告日2002-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GENERAL INSTRUMENT CORPORATION;

    申请/专利号CA20002295341

  • 发明设计人 MIGUELEZ PHILIP;MENNA RUDOLPH J.;

    申请日2000-01-06

  • 分类号H03F3/19;H03F3/193;H04N7/10;

  • 国家 CA

  • 入库时间 2022-08-21 23:58:49

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