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WIDEBAND LINEAR GAASFET TERNATE CASCODE AMPLIFIER

机译：宽带线性GAASFET TERNATE CASCODE放大器

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The present invention incorporates GaAs field effect transistors (GaAsFETs) in a radio frequency (RF) ultra-linear amplifier. The described amplifier circuit is a transformer-coupled single input, signal processing unit incorporating ultra-fast, GaAsFETs in a three active device cascode. This arrangement allows for a higher working voltage to be applied across the three semiconductors rather than a traditional two transistor cascode. The operational bandwidth can process a mixed modulation signal comprised of analog and digital channels.

机译：本发明在射频（RF）超线性放大器中并入了GaAs场效应晶体管（GaAsFET）。所描述的放大器电路是一个变压器耦合的单输入信号处理单元，在三个有源器件共源共栅中结合了超快的GaAsFET。这种布置允许在三个半导体之间而不是传统的两个晶体管共源共栅上施加更高的工作电压。工作带宽可以处理由模拟和数字通道组成的混合调制信号。

著录项

公开/公告号CA2295341A1

专利类型
公开/公告日2000-07-25

原文格式PDF
申请/专利权人 GENERAL INSTRUMENT CORPORATION;
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申请/专利号CA20002295341
发明设计人 MIGUELEZ PHILIP;MENNA RUDOLPH J.;
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申请日2000-01-06
分类号H03F3/19;H03F3/193;H04N7/10;
国家 CA
入库时间 2022-08-22 01:52:56

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