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Optical proximity correction mask for semiconductor device fabrication

机译:用于半导体器件制造的光学邻近校正掩模

摘要

A mask for fabricating a semiconductor device, which is capable of correcting an optical proximity effect, includes a transparent mask plate, a main pattern formed on the mask plate as a light blocking layer, and a subsidiary pattern a corner of which is offset in a direction of 45.+-.10 degrees or 135.+-.10 degrees from a line longitudinally extended from the main pattern's edge line. The corner of the subsidiary pattern may be contiguous or non-contiguous with a corner of the main pattern.
机译:一种用于制造能够校正光学邻近效应的半导体器件的掩模,包括透明掩模板,形成在该掩模板上的作为遮光层的主图案,以及在其上的角偏移的辅助图案。从主图案的边缘线纵向延伸的线的45。+-。10度或135。+-。10度的方向。辅助图案的拐角可以与主图案的拐角连续或不连续。

著录项

  • 公开/公告号US6033811A

    专利类型

  • 公开/公告日2000-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG SEMICON CO. LTD.;

    申请/专利号US19980134374

  • 发明设计人 JUN SEOK LEE;

    申请日1998-08-14

  • 分类号G03F9/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-22 01:37:40

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